文章分類： 功率

國(guó)內(nèi)首套碳化硅晶錠激光剝離設(shè)備投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 08 月 23 日 18:10 |
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據(jù)新聞晨報(bào)報(bào)道，8月21日，從江蘇通用半導(dǎo)體有限公司（下文簡(jiǎn)稱通用半導(dǎo)體）傳來(lái)消息，由該公司自主研發(fā)的國(guó)內(nèi)首套的8英寸碳化硅晶錠激光全自動(dòng)剝離設(shè)備正式交付碳化硅襯底生產(chǎn)領(lǐng)域頭部企業(yè)，并投入生產(chǎn)。 據(jù)了解，該設(shè)備可實(shí)現(xiàn)6英寸和8英寸碳化硅晶錠的全自動(dòng)分片，將極大地提升我國(guó)碳化硅芯片...  [詳內(nèi)文]

碳化硅、氮化鎵領(lǐng)域新增2起投資

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 08 月 21 日 17:51 |
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8月20日，中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)園公告了第18次園區(qū)審議會(huì)核準(zhǔn)投資案（竹科）詳情。其中，環(huán)翔科技股份有限公司（下文簡(jiǎn)稱“環(huán)翔科技”）、碳矽電子股份有限公司（下文簡(jiǎn)稱“碳矽電子”）增資議案被批通過(guò)，二者分在氮化鎵（GaN）/碳化硅（SiC）領(lǐng)域有所布局。 公告顯示，環(huán)翔科技此次獲資金額...  [詳內(nèi)文]

芯碁微裝國(guó)產(chǎn)碳化硅相關(guān)設(shè)備出口日本

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 08 月 20 日 17:50 |
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8月19日，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商芯碁微裝宣布，公司旗下MLF系列設(shè)備首次出口至日本。 芯碁微裝表示，公司MLF系列直寫光刻設(shè)備專為高精度、高效能的泛半導(dǎo)體封裝應(yīng)用而設(shè)計(jì)，特別適用于功率半導(dǎo)體，如絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的封裝工藝。該設(shè)備配備先進(jìn)的設(shè)備前端模塊（EFEM），能夠...  [詳內(nèi)文]

印度或?qū)⒎謩e新建一座碳化硅和氮化鎵晶圓廠

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 08 月 15 日 17:50 |
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8月14日，據(jù)外媒報(bào)道，L&T Semiconductor Technologies（LTSCT）計(jì)劃投資100億~120億美元，在未來(lái)5到10年內(nèi)在印度建立三個(gè)半導(dǎo)體制造工廠，分別專注于硅、碳化硅和氮化鎵技術(shù)。 LTSCT為L(zhǎng)&T的全資子公司，是一家無(wú)晶圓廠公司...  [詳內(nèi)文]

8英寸碳化硅，如火如荼

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 08 月 14 日 15:00 |
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近日消息，全球最大8英寸碳化硅晶圓廠啟動(dòng)。功率半導(dǎo)體大廠英飛凌于8月8日宣布，已正式啟動(dòng)位于馬來(lái)西亞新晶圓廠的第一階段，該晶圓廠將成為全球最大、最具競(jìng)爭(zhēng)力的200毫米（8英寸）碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體晶圓廠，預(yù)計(jì)2025年開(kāi)始量產(chǎn)。 碳化硅尺寸越大，單位芯片成本越低，故6英寸向...  [詳內(nèi)文]

日本將新增一條SiC產(chǎn)線

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 08 月 05 日 18:10 |
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據(jù)日媒報(bào)道，8月1日，碳和石墨產(chǎn)品綜合制造商?hào)|海碳素（Tokai Carbon）擬投資54億日元（折合人民幣約為2.7億元）在日本神奈川縣茅崎市建立一條多晶SiC晶圓專線，并預(yù)計(jì)將于2024年12月完成建設(shè)。 東海炭素開(kāi)發(fā)的用于功率半導(dǎo)體的SiC晶圓，被稱為“層壓SiC晶圓”。層...  [詳內(nèi)文]

第三代半導(dǎo)體13項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)有新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 31 日 17:20 |
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近日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）官方微信消息，其標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）公布了13項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)新進(jìn)展，包括2項(xiàng)GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案、2項(xiàng)SiC單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)征求意見(jiàn)、9項(xiàng)SiC MOSFET技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)已完成征求意見(jiàn)稿的編制。 ...  [詳內(nèi)文]

德高化成GaN倒裝芯片LED封裝制造擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目開(kāi)工

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 30 日 17:59 |
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據(jù)天津經(jīng)開(kāi)區(qū)一泰達(dá)消息，近日，天津德高化成新材料股份有限公司的全資子公司天津德高化成科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱德高化成）在天津經(jīng)開(kāi)區(qū)的施工現(xiàn)場(chǎng)打下第一根樁，標(biāo)志著德高化成第三代半導(dǎo)體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目正式開(kāi)工建設(shè)。 據(jù)悉，第三代半導(dǎo)體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴(kuò)產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

設(shè)備入場(chǎng)！三安半導(dǎo)體8英寸碳化硅提速

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 25 日 15:53 |
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據(jù)三安半導(dǎo)體官微消息，7月24日，三安半導(dǎo)體舉行芯片二廠M6B設(shè)備入場(chǎng)儀式。這標(biāo)志著三安碳化硅（SiC）項(xiàng)目二期通線在即，將為全面加速8英寸SiC產(chǎn)業(yè)布局，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)線正式投產(chǎn)奠定良好基礎(chǔ)。 source：三安半導(dǎo)體 據(jù)介紹，湖南三安SiC項(xiàng)目總投資高達(dá)160億人民幣，旨在打造6...  [詳內(nèi)文]

韓國(guó)首個(gè)1200V 氧化鎵SBD問(wèn)世

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 24 日 16:30 |
| 分類: 功率
7月22日，韓國(guó)化合物半導(dǎo)體公司Siegtronics宣布，公司已開(kāi)發(fā)出可應(yīng)用于高速開(kāi)關(guān)的氧化鎵（Ga2O3）肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）。 source：Siegtronics 據(jù)悉，氧化鎵是一種寬帶隙（WBG）材料，與碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相比，具有更寬帶隙和更高...  [詳內(nèi)文]