相關(guān)資訊：揚(yáng)杰科技

揚(yáng)杰科技、悉智科技碳化硅新動(dòng)態(tài)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 19 日 18:06 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，小米Su7 Ultra新能源汽車引發(fā)業(yè)界廣泛關(guān)注，據(jù)媒體披露，小米SU7 Ultra全車預(yù)計(jì)使用172顆SiC芯片，覆蓋電驅(qū)系統(tǒng)、車載電源和空調(diào)壓縮機(jī)控制器等核心部件。這種全域應(yīng)用不僅強(qiáng)化了車輛的動(dòng)力性能，還通過減小系統(tǒng)體積和重量，助力車身輕量化設(shè)計(jì)。 碳化硅（SiC）作為...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體龍頭，開啟一筆重大并購
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 13 日 17:47 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
3月13日，揚(yáng)杰科技發(fā)布公告稱，公司正籌劃通過發(fā)行股份及支付現(xiàn)金方式收購東莞市貝特電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“貝特電子”）控股權(quán)，并同步募集配套資金。 source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖 受此影響，該公司股票自當(dāng)日開市起停牌，預(yù)計(jì)3月27日前披露重組預(yù)案并申請(qǐng)復(fù)牌。這一動(dòng)作...  [詳內(nèi)文]

揚(yáng)杰科技中央研究院獲批省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，助力功率半導(dǎo)體技術(shù)突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 11 日 14:01 | 分類 企業(yè) , 功率 , 碳化硅SiC
據(jù)揚(yáng)州市刊江區(qū)人民政府網(wǎng)消息，3月10日，揚(yáng)杰科技中央研究院正式獲批成為省級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，標(biāo)志著其在半導(dǎo)體功率電子領(lǐng)域的研發(fā)實(shí)力和創(chuàng)新能力得到了官方的高度認(rèn)可。 據(jù)悉，該實(shí)驗(yàn)室的成立旨在聚焦半導(dǎo)體功率電子領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)問題，通過產(chǎn)學(xué)研深度融合，推動(dòng)我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。 ...  [詳內(nèi)文]

今年第二家，揚(yáng)杰科技再成立新公司
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 05 日 18:00 | 分類 企業(yè)
近期，繼碳化硅相關(guān)廠商中車時(shí)代半導(dǎo)體、江豐電子分別成立新公司后，揚(yáng)杰科技也成立了一家新公司，這是揚(yáng)杰科技今年新成立的第二家公司。 天眼查資料顯示，2024年11月1日，揚(yáng)州東興揚(yáng)杰研發(fā)有限公司成立，法定代表人為梁瑤，注冊(cè)資本500萬人民幣，經(jīng)營(yíng)范圍含集成電路芯片設(shè)計(jì)及服務(wù)、電力...  [詳內(nèi)文]

揚(yáng)杰科技、德州儀器公布2024Q3財(cái)報(bào)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 23 日 17:50 | 分類 企業(yè)
10月22日，揚(yáng)杰科技、德州儀器披露了公司Q3季度業(yè)績(jī)營(yíng)收。其中，揚(yáng)杰科技實(shí)現(xiàn)了營(yíng)收凈利雙增長(zhǎng)，而德州儀器的表現(xiàn)也超過外界預(yù)期。 揚(yáng)杰科技：營(yíng)收達(dá)15.58億 揚(yáng)杰科技表示，報(bào)告期內(nèi)，隨著半導(dǎo)體市場(chǎng)需求逐步改善，公司營(yíng)收規(guī)模進(jìn)一步擴(kuò)大，截至報(bào)告期末累計(jì)達(dá)到44.23億元，較去年同...  [詳內(nèi)文]

揚(yáng)杰科技、新潔能取得SiC、GaN相關(guān)專利
作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 13 日 18:00 | 分類 企業(yè)
近日，揚(yáng)杰科技和新潔能2家第三代半導(dǎo)體相關(guān)廠商分別取得SiC、GaN相關(guān)專利。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 揚(yáng)杰科技取得GaN MOSFET專利 天眼查資料顯示，5月10日，揚(yáng)杰科技取得一項(xiàng)“一種氮化鎵MOSFET封裝應(yīng)力檢測(cè)結(jié)構(gòu)”專利，授權(quán)公告號(hào)CN110749389B，申請(qǐng)日...  [詳內(nèi)文]

揚(yáng)杰科技、聞泰科技公布2023年業(yè)績(jī)，均實(shí)現(xiàn)營(yíng)收增長(zhǎng)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 23 日 18:00 | 分類 企業(yè)
近日，SiC相關(guān)廠商密集發(fā)布2023年業(yè)績(jī)，揚(yáng)杰科技與聞泰科技也相繼公布了2023年年度報(bào)告，2家廠商在營(yíng)收方面均同比實(shí)現(xiàn)小幅增長(zhǎng)。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 揚(yáng)杰科技2023年?duì)I收54.10億，SiC MOS批量出貨 4月21日晚間，揚(yáng)杰科技公布2023年年度報(bào)告。2023年...  [詳內(nèi)文]

總投資5億元，揚(yáng)杰科技SiC模塊封裝項(xiàng)目簽約
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 20 日 18:00 | 分類 企業(yè)
近日，在江蘇省揚(yáng)州市邗江區(qū)維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)先進(jìn)制造業(yè)項(xiàng)目新春集中簽約儀式上，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱揚(yáng)杰科技）新能源車用IGBT、碳化硅（SiC）模塊封裝項(xiàng)目完成簽約。該項(xiàng)目總投資5億元，主要從事車規(guī)級(jí)IGBT模塊、SiC MOSFET模塊的研發(fā)制造。 圖片來源：拍...  [詳內(nèi)文]

揚(yáng)杰科技取得多項(xiàng)SiC器件相關(guān)專利
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 02 日 17:50 | 分類 企業(yè)
12月29日，揚(yáng)杰科技公開“隔離柵碳化硅晶體管及其制備方法”、“一種碳化硅半導(dǎo)體器件及其制備方法”、“一種提升SIC功率器件短路魯棒性的結(jié)構(gòu)及制造方法”等多項(xiàng)碳化硅（SiC）器件相關(guān)專利，申請(qǐng)日期均為2023年10月27日。 “隔離柵碳化硅晶體管及其制備方法”專利 天眼查資料顯示...  [詳內(nèi)文]

揚(yáng)杰科技寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)中心落地
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 12 日 15:50 | 分類 碳化硅SiC
6月6日，在東南大學(xué)建校121周年紀(jì)念日上，揚(yáng)杰科技宣布與東南大學(xué)簽署合作協(xié)議，組建“東南大學(xué)—揚(yáng)杰科技寬禁帶功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”。 基于此研發(fā)中心，雙方將在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域（尤其是寬禁帶功率器件領(lǐng)域）進(jìn)行深層次合作，開發(fā)世界級(jí)水平、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的、符合市場(chǎng)與應(yīng)用需求的功...  [詳內(nèi)文]