文章分類: 企業(yè)

日本DISCO推出新型SiC切割設備,速度提高10倍

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 12 日 17:06 |
| 分類: 企業(yè)
日本晶圓設備制造商DISCO于2023年12月推出新型碳化硅(SiC)切割設備DDS2020,支持切割8英寸SiC材料,可將SiC晶圓的切割速度提高10倍,首批產(chǎn)品已交付客戶。 source:DISCO 據(jù)介紹,SiC材質偏硬加工難度較大,DDS2020晶圓切割設備采用了新的斷...  [詳內(nèi)文]

Transphorm為何會被瑞薩電子選中?

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 12 日 17:04 | | 分類: 企業(yè)
1月11日,瑞薩電子與Transphorm共同宣布雙方已達成最終收購協(xié)議,根據(jù)該協(xié)議,瑞薩子公司將以每股5.10美元現(xiàn)金收購Transphorm所有已發(fā)行普通股,此次交易對Transphorm的估值約為3.39億美元(約24.27億人民幣)。 source:瑞薩電子 瑞薩電子表...  [詳內(nèi)文]

環(huán)球晶圓已與客戶簽合作長約,持續(xù)強化SiC布局

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 12 日 16:20 | | 分類: 企業(yè)
環(huán)球晶圓今年持續(xù)強化在化合物半導體的布局,預估今年碳化硅(SiC)產(chǎn)能翻倍。隨著6吋碳化硅襯底產(chǎn)能的提升,再加上電動車的需求相比之前稍有緩解,今年SiC襯底價格會面臨下滑的壓力。展望未來,環(huán)球晶圓本身制造上的良率提高,成本也隨之下降,對毛利率的影響不大,加上環(huán)球晶圓已與一線大廠簽...  [詳內(nèi)文]

英飛凌再添一家SiC材料供應商

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 11 日 15:07 |
| 分類: 企業(yè)
全球半導體巨頭英飛凌,近日再次擴大其碳化硅(SiC)供應商朋友圈。 1月9日,英飛凌與SiC晶圓供應商韓國SK Siltron公司的子公司SK Siltron CSS正式簽署了一項協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,SK Siltron CSS將向英飛凌提供6英寸SiC晶圓,用于SiC半導體的生產(chǎn)。...  [詳內(nèi)文]

連城數(shù)控擬投10.5億,建設第三代半導體設備項目

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 11 日 14:41 | | 分類: 企業(yè)
1月10日,連城數(shù)控發(fā)布公告稱,公司及下屬全資子公司連科半導體有限公司(以下簡稱:連科半導體)擬與無錫市錫山區(qū)錫北鎮(zhèn)政府簽署《錫山區(qū)工業(yè)項目投資協(xié)議書》,投建第三代半導體設備研發(fā)制造項目。 根據(jù)協(xié)議,連城數(shù)控指定連科半導體作為投資主體,計劃投資總額不超過10.50億,在無錫市投資...  [詳內(nèi)文]

SiC外延設備廠商納設智能開啟上市輔導

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 11 日 8:50 |
| 分類: 企業(yè)
1月9日,證監(jiān)會披露了關于深圳市納設智能裝備股份有限公司(以下簡稱納設智能)首次公開發(fā)行股票并上市輔導備案報告(以下簡稱報告)。報告顯示,12月27日,納設智能與中信證券簽署了上市輔導協(xié)議。 圖源:拍信網(wǎng)正版圖庫 資料顯示,納設智能成立于2018年10月,致力于第三代半導體碳化...  [詳內(nèi)文]

吉利成立新公司,經(jīng)營范圍含半導體分立器件制造

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 09 日 14:06 | | 分類: 企業(yè)
天眼查資料顯示,1月3日,浙江嘉芯動力科技有限公司成立,注冊資本1000萬人民幣,經(jīng)營范圍含半導體分立器件制造、銷售;半導體器件專用設備制造、銷售等。 source:天眼查 股東信息顯示,該公司由吉利旗下浙江晶能微電子有限公司(持股比例51%)、杭州星驅企業(yè)管理合伙企業(yè)(有限合...  [詳內(nèi)文]

晶升股份8英寸SiC設備已通過驗證

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 09 日 13:56 |
| 分類: 企業(yè)
1月5日,晶升股份公布投資者關系活動記錄表,介紹了公司碳化硅(SiC)長晶設備的價格及研發(fā)進展。 據(jù)介紹,晶升股份8英寸SiC長晶設備目前進展順利,已通過了客戶處的批量驗證。價格方面,6英寸SiC長晶設備已大批量出貨,價格趨于穩(wěn)定,相對較低;8英寸SiC長晶設備根據(jù)不同設計和配置...  [詳內(nèi)文]

東尼電子公布SiC重大合同進展

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 08 日 18:10 |
| 分類: 企業(yè)
1月6日,東尼電子發(fā)布公告稱,公司子公司湖州東尼半導體科技有限公司(以下簡稱東尼半導體)2023年交付計劃未能完成,主要原因為客戶中途更換產(chǎn)品檢測設備,原產(chǎn)品檢測設備為日本lasertec的sica88,客戶中途改用美國KLA的candela8520檢測設備,導致SF的判斷標準不...  [詳內(nèi)文]

中電科SiC襯底二期項目預計3月試生產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 08 日 18:05 |
| 分類: 企業(yè)
近日,山西爍科晶體有限公司(以下簡稱爍科晶體)中國電科(山西)碳化硅(SiC)材料產(chǎn)業(yè)基地(二期)項目正在進行消防管道、機電安裝施工和保溫材料安裝等,為月底設備進場全力沖刺。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)介紹,中國電科(山西)SiC材料產(chǎn)業(yè)基地二期項目于2023年9月份開始建設...  [詳內(nèi)文]