文章分類: 氮化鎵GaN

發(fā)力SiC、GaN,這兩大美企又有新動作

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 24 日 17:09 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日,據外媒報道,Axcelis向歐洲、亞洲客戶交付了多臺Purion H200 SiC Power Serie離子注入系統(tǒng);Transphorm與美國國家安全技術加速機構簽訂協(xié)議。 1、Axcelis交付數臺離子注入機 美國離子注入設備制造商Axcelis公司日前宣布,向歐洲、...  [詳內文]

牽頭歐洲聯(lián)合研究計劃,英飛凌再發(fā)力GaN功率半導體!

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 23 日 18:18 |
| 分類: 氮化鎵GaN
作為國際功率半導體龍頭廠商之一,英飛凌的動態(tài)備受市場關注,在相關行業(yè)扮演著重要的角色,尤其是SiC、GaN等第三代半導體市場。 今年3月,英飛凌宣布擬收購GaN芯片龍頭GaN Systems一事便在第三代半導體領域引起巨大反響,不僅將GaN再次推到聚光燈之下,傳遞著GaN將加速在...  [詳內文]

3大射頻/碳化硅相關項目落地、開工、投產

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 23 日 18:15 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
今年以來,國內各地第三代半導體相關項目建設如火如荼,與終端市場需求的蒸蒸日上遙相呼應。近日,又有3大項目落地、開工、投產,涉及射頻及SiC碳化硅等領域。 漢天下14億元射頻模塊項目簽約落戶浙江湖州 據報道,5月18日,浙江省“415X”先進制造業(yè)專項基金群啟動暨簽約儀式舉行。會上...  [詳內文]

ROHM開始量產具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 22 日 18:59 |
| 分類: 氮化鎵GaN
全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT “GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產,這兩款產品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。 據悉,電源和電機的用電量占全世界...  [詳內文]

金剛石功率器件要來了!

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 18 日 18:28 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
外媒15日消息,日本精密零部件制造商Orbray與車載半導體研究公司Mirise Technologies(日本電裝與豐田合成于2020年聯(lián)合成立的合資公司)已經達成戰(zhàn)略合作關系,將聯(lián)合開發(fā)垂直結構金剛石功率器件。 據悉,合作項目為期3年,Orbray和Mirise將利用各自在...  [詳內文]

直擊深圳國際半導體展:30+三代半廠商亮相!

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 18 日 11:36 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
5月16日,為期三天的SEMI-e第五屆深圳國際半導體技術暨應用展覽會在深圳國際會展中心(寶安新館)盛大開幕。 本屆展會以“芯機會 智未來〞為主題,涵蓋6大特色展區(qū),包括電子元器件、IC設計&芯片、晶圓制造及封裝、半導體設備、半導體材料、第三代半導體,為各領域的行業(yè)人士...  [詳內文]

【會議預告】華燦光電:GaN功率器件創(chuàng)新應用市場前景分析

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 15 日 17:40 |
| 分類: 氮化鎵GaN
GaN功率器件具有良好的耐熱性、導電性和散熱性。與硅元件相比,GaN功率器件具有更高的電流密度和遷移率。 基于GaN功率器件的電能轉換技術作為電力電子領域的核心技術之一,廣泛應用于消費電子、數據中心等諸多領域,是推進電能高效利用的關鍵技術,也是節(jié)能減排的重要技術。 華燦光電十五年...  [詳內文]

納微半導體發(fā)布全新GeneSiC SiCPAK?模塊

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 12 日 11:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日,納微半導體宣布其采用了全新SiCPAK?模塊和裸片的領先碳化硅功率產品已擴展到更高功率市場,包括鐵路、電動汽車、工業(yè)、太陽能、風能和能量儲存等領域。 Source:納微半導體 目標應用領域涵蓋集中式和組串式太陽能逆變器、能量儲存系統(tǒng)(ESS)、工業(yè)運動控制,電動汽車(EV...  [詳內文]

英諾賽科進軍高壓高功率市場,最新成果發(fā)布!

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 11 日 17:29 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日,海內外諸多SiC、GaN廠商發(fā)布新品新技術。據化合物半導體市場不完全統(tǒng)計,安森美、英飛凌、安世半導體、英諾賽科、納微半導體、Transphorm、EPC、CGD等都發(fā)布了GaN或SiC最新開發(fā)成果,性能升級,應用范圍也進一步拓寬。其中,英諾賽科便發(fā)布了聯(lián)合研究成果,為進軍高...  [詳內文]

三安、英諾賽科、納微等云集,PCIM 2023亮點搶先看!

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 05 月 11 日 16:11 | | 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
5月9日,聚焦電力電子、智能運動、可再生能源及能源管理的2023德國紐倫堡電力電子展PCIM Europe開幕(5/9-11),海內外SiC/GaN第三代半導體廠商匯聚一堂,以最新的技術和產品,向市場展示了SiC、GaN在電動汽車、數據中心、光伏儲能、通信基站、工業(yè)自動化等高壓高...  [詳內文]