11月15日，深重投集團(tuán)投建的國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)在中國(guó)國(guó)際高新技術(shù)成果交易會(huì)（簡(jiǎn)稱：高交會(huì)）上，召開建成發(fā)布會(huì)。 source：高交會(huì) 據(jù)介紹，建成發(fā)布的深圳綜合平臺(tái)具備碳化硅、氮化鎵及超寬禁帶功率材料與器件研發(fā)、集成設(shè)計(jì)及試制能力。 深圳綜合平臺(tái)主要由三...  [詳內(nèi)文]

10月30日，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地相關(guān)負(fù)責(zé)人對(duì)外介紹，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢碳化硅基地11月設(shè)備即將進(jìn)駐廠房，明年年初開始調(diào)試，預(yù)計(jì)2025年5月可以量產(chǎn)通線，隨后將開啟良率提升和產(chǎn)能爬坡。 source:光谷融媒體中心 據(jù)悉，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，項(xiàng)目總...  [詳內(nèi)文]

在當(dāng)今快速發(fā)展的科技時(shí)代，半導(dǎo)體材料的創(chuàng)新和應(yīng)用正成為推動(dòng)全球電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）因其卓越的電子特性和廣泛的應(yīng)用前景，正受到業(yè)界的關(guān)注。近期，山東省的濟(jì)南和臨沂兩地，在氮化鎵襯底方面取得了新進(jìn)展。 濟(jì)南：新增一個(gè)氮化鎵項(xiàng)目 據(jù)濟(jì)南日?qǐng)?bào)消...  [詳內(nèi)文]

10月4日，中國(guó)臺(tái)灣科學(xué)園區(qū)審議會(huì)第19次會(huì)議召開，會(huì)中通過冠亞半導(dǎo)體股份有限公司（下文簡(jiǎn)稱“冠亞”）投資議案。 據(jù)介紹，該案投資金額達(dá)15億元新臺(tái)幣（折合人民幣約3.29億元），主要用來生產(chǎn)氮化鎵功率元件相關(guān)產(chǎn)品。 資料顯示冠亞為臺(tái)亞半導(dǎo)體子公司，專注于氮化鎵（GaN）功率技術(shù)...  [詳內(nèi)文]