相關(guān)資訊：國博電子

芯聯(lián)集成、國博電子發(fā)布最新財報
作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 27 日 11:10 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新發(fā)展的浪潮中，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，正逐漸成為行業(yè)焦點。近期，芯聯(lián)集成與南京國博電子發(fā)布的最新財報，芯聯(lián)集成在碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)上實現(xiàn)高速增長，營收大幅提升且減虧明顯；南京國博電子雖業(yè)績承壓，但在氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)方...  [詳內(nèi)文]

?時代電氣、國博電子等3企發(fā)布2024半年報
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 26 日 17:58 | 分類 企業(yè)
近日，時代電氣、國博電子和燕東微披露了2024年上半年業(yè)績。其中，時代電氣實現(xiàn)營收凈利雙增長。 時代電氣：營收破百億，凈利潤同比增長30% 2024年上半年，時代電氣實現(xiàn)實現(xiàn)營業(yè)收入人民幣102.84億元，同比增長19.99%；實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤人民幣15.07...  [詳內(nèi)文]

總投資10億，國博射頻二期項目預(yù)計2026年投產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 29 日 18:00 | 分類 企業(yè)
近日，江蘇南京江寧開發(fā)區(qū)總投資10億元的國博射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化二期項目正在進(jìn)行地下室主體結(jié)構(gòu)施工，預(yù)計明年7月份主體封頂，2026年正式投產(chǎn)。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)悉，國博射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目由南京國博電子有限公司投資建設(shè)，占地面積約203畝，總投資30億元，新建廠房...  [詳內(nèi)文]

這個國產(chǎn)射頻芯片龍頭二期項目正式開工
作者 |發(fā)布日期 2023 年 09 月 13 日 11:34 | 分類 射頻
9月10日上午，國博電子射頻集成產(chǎn)業(yè)化（二期）項目在江寧開發(fā)區(qū)開工建設(shè)。南京市委常委、江寧區(qū)委書記林濤，市科技局、市工信局相關(guān)負(fù)責(zé)人，江寧區(qū)代區(qū)長黃成文，江寧開發(fā)區(qū)管委會主任王愛軍，江寧區(qū)副區(qū)長周強，中鐵建工集團(tuán)副總經(jīng)理嚴(yán)峰，國基南方董事長、黨委書記、55所所長梅濱，國基南方總經(jīng)...  [詳內(nèi)文]

6.98億，國產(chǎn)射頻芯片龍頭國博電子擬開展二期項目
作者 |發(fā)布日期 2023 年 08 月 14 日 16:30 | 分類 射頻
昨（22）日，國產(chǎn)射頻芯片龍頭國博電子宣布，根據(jù)射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目整體規(guī)劃，擬使用自有或自籌資金購買位于南京市江寧區(qū)金鑫西路以東、鳳礦路以西地塊的土地使用權(quán)（最終購買金額和面積以實際出讓文件為準(zhǔn)），并開展射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目二期建設(shè)。 項目與公司已建設(shè)的項目一期地塊為相鄰區(qū)...  [詳內(nèi)文]

6.98億，國產(chǎn)射頻芯片龍頭國博電子擬開展二期項目
作者 |發(fā)布日期 2023 年 02 月 23 日 17:22 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
昨（22）日，國產(chǎn)射頻芯片龍頭國博電子宣布，根據(jù)射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目整體規(guī)劃，擬使用自有或自籌資金購買位于南京市江寧區(qū)金鑫西路以東、鳳礦路以西地塊的土地使用權(quán)（最終購買金額和面積以實際出讓文件為準(zhǔn)），并開展射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目二期建設(shè)。 項目與公司已建設(shè)的項目一期地塊為相鄰區(qū)...  [詳內(nèi)文]