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華為持股，云南鍺業(yè)子公司再獲融資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 23 日 14:30 | 分類 企業(yè)
12月19日，云南鍺業(yè)發(fā)布公告稱，同意控股子公司云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱““鑫耀半導(dǎo)體”）以增資擴(kuò)股方式引入新的投資者：深創(chuàng)投制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)新材料基金(有限合伙)（以下簡(jiǎn)稱“深創(chuàng)投基金”）、深圳市遠(yuǎn)致星火私募股權(quán)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）（以下簡(jiǎn)稱“遠(yuǎn)致星火”）。 ...  [詳內(nèi)文]

美迪凱：第三代半導(dǎo)體封測(cè)已實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 20 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
12月18日，美迪凱在投資者互動(dòng)平臺(tái)對(duì)業(yè)務(wù)進(jìn)展情況進(jìn)行了介紹，其中包括第三代半導(dǎo)體相關(guān)進(jìn)展。 據(jù)介紹，美迪凱微電子的年產(chǎn)20億顆（件、套）半導(dǎo)體器件建設(shè)項(xiàng)目和美迪凱光學(xué)半導(dǎo)體的半導(dǎo)體晶圓制造及封測(cè)項(xiàng)目都在按計(jì)劃推進(jìn)；公司射頻芯片主要為設(shè)計(jì)公司代工，Normal SAW、TC-SA...  [詳內(nèi)文]

機(jī)器人，氮化鎵下一個(gè)風(fēng)口？
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 20 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 功率 , 氮化鎵GaN
氮化鎵（GaN）材料具有寬禁帶、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿電壓、化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)，以及較強(qiáng)的抗輻射、抗高溫、抗高壓能力，這些特性使得氮化鎵在功率半導(dǎo)體器件、光電子器件以及射頻電子器件等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 目前，功率氮化鎵在消費(fèi)電子領(lǐng)域應(yīng)用已漸入佳境，并正在逐步向各類應(yīng)用...  [詳內(nèi)文]

四川巴中經(jīng)開(kāi)區(qū)功率器件封裝項(xiàng)目設(shè)備進(jìn)場(chǎng)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 20 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
12月18日，據(jù)“巴中經(jīng)開(kāi)區(qū)”官微消息，位于四川巴中經(jīng)開(kāi)區(qū)東西部協(xié)作產(chǎn)業(yè)園二期的功率器件封裝生產(chǎn)基地項(xiàng)目，首批58臺(tái)封裝設(shè)備于12月18日正式進(jìn)場(chǎng)，標(biāo)志著該項(xiàng)目進(jìn)入投產(chǎn)前的沖刺階段。 source：巴中經(jīng)開(kāi)區(qū) 據(jù)項(xiàng)目負(fù)責(zé)人介紹，第一批58臺(tái)設(shè)備主要是封裝前端固晶、共晶熱機(jī)設(shè)備，...  [詳內(nèi)文]

62億，美國(guó)企業(yè)投建金剛石晶圓廠
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 19 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
12月17日，據(jù)EEnews Europe報(bào)道，西班牙政府已獲得歐洲委員會(huì)批準(zhǔn)，將向美國(guó)人造金剛石廠商Diamond Foundry的西班牙子公司Diamond Foundry Europe提供8100萬(wàn)歐元（約6.13億人民幣）的補(bǔ)貼，以支持其在西班牙特魯希略建造一座總投資額8...  [詳內(nèi)文]

200億，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢碳化硅基地預(yù)計(jì)明年5月量產(chǎn)通線
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 19 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
12月18日，據(jù)長(zhǎng)飛先進(jìn)官微消息，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目首批設(shè)備搬入儀式于光谷科學(xué)島舉辦。 source：長(zhǎng)飛先進(jìn) 據(jù)介紹，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目本次搬入的設(shè)備涵蓋芯片制造各個(gè)環(huán)節(jié)，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等。目前，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目正推進(jìn)建設(shè)并對(duì)設(shè)備進(jìn)行安裝調(diào)試，預(yù)計(jì)...  [詳內(nèi)文]

環(huán)球晶圓碳化硅外延在美國(guó)擴(kuò)產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 19 日 17:21 | 分類 企業(yè)
當(dāng)?shù)貢r(shí)間12月17日，美國(guó)商務(wù)部宣布向環(huán)球晶圓美國(guó)子公司GlobalWafers America（GWA）及MEMC LLC（MEMC）最高可達(dá)4.06億美元（約人民幣29.63億元）的直接補(bǔ)助。 環(huán)球晶圓表示，補(bǔ)助將用于支持公司位于德州謝爾曼市（Texas）及密蘇里州圣彼得斯市...  [詳內(nèi)文]

投資近百億，格力碳化硅芯片工廠建成投產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 18 日 18:00 | 分類 企業(yè)
12月18日消息，格力電器董事長(zhǎng)董明珠日前在《珍知酌見(jiàn)》欄目中表示，格力芯片成功了。據(jù)董明珠介紹，格力在芯片領(lǐng)域從自主研發(fā)、自主設(shè)計(jì)、自主制造到整個(gè)全產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)完成。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 據(jù)報(bào)道，格力芯片工廠是一座投資近百億元建設(shè)的碳化硅芯片工廠。該項(xiàng)目于2022年12月...  [詳內(nèi)文]

金信新材料芯片用8英寸碳化硅晶錠項(xiàng)目完成研發(fā)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 18 日 18:00 | 分類 企業(yè)
12月18日消息，武漢金信新材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱：金信新材料）芯片用8英寸碳化硅晶錠項(xiàng)目完成研發(fā)，通過(guò)了行業(yè)專家驗(yàn)證。 source：長(zhǎng)江新區(qū) 資料顯示，金信新材料主要研發(fā)生產(chǎn)半導(dǎo)體碳化硅晶錠、半導(dǎo)體超高純碳化硅粉料及超純碳化硅結(jié)構(gòu)件等產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于芯片和光伏領(lǐng)域。 金信新...  [詳內(nèi)文]

X-fab推出新一代碳化硅MOS工藝平臺(tái)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 18 日 16:47 | 分類 功率
12月17日，碳化硅（SiC）晶圓代工廠商X-fab推出了新一代XbloX平臺(tái)XSICM03。該平臺(tái)可推進(jìn)SiC工藝技術(shù)在功率MOSFET的應(yīng)用，并顯著降低單元間距，從而在不影響可靠性的前提下增加了每片晶圓芯片數(shù)量并改善導(dǎo)通電阻。 source：X-fab X-fab介紹，Xb...  [詳內(nèi)文]