文章分類： 企業(yè)

啟方半導(dǎo)體計(jì)劃年內(nèi)完成開發(fā)650V GaN HEMT

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 20 日 14:48 |
| 分類: 企業(yè)
據(jù)外媒報(bào)道，6月19日，韓國8英寸純晶圓代工廠SK Key Foundry（啟方半導(dǎo)體）宣布，公司已確認(rèn)650伏氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）器件的特性，正加大開發(fā)力度，預(yù)計(jì)年內(nèi)完成開發(fā)。 因GaN具有高速開關(guān)和低電阻特性，它被稱為下一代功率半導(dǎo)體，比現(xiàn)有的硅（S...  [詳內(nèi)文]

超200億，長飛先進(jìn)和晶能微電子SiC項(xiàng)目進(jìn)度刷新

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 19 日 18:00 |
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繼6月18日，總投資120億元的士蘭微8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線開工后，又有兩個(gè)SiC相關(guān)項(xiàng)目披露了最新進(jìn)展。 長飛先進(jìn)武漢基地正式封頂 6月19日，據(jù)長飛先進(jìn)官微消息顯示，年產(chǎn)36萬片SiC晶圓的長飛先進(jìn)武漢基地日前正式完成主體結(jié)構(gòu)封頂。 source：長飛先進(jìn) 據(jù)悉...  [詳內(nèi)文]

晶圓代工大廠漢磊擬進(jìn)軍8英寸化合物半導(dǎo)體

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 19 日 16:25 |
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晶圓代工廠漢磊擬進(jìn)軍化合物半導(dǎo)體8英寸廠，考量投資成本太高，計(jì)劃與具有現(xiàn)成8英寸廠的企業(yè)，展開策略合作; 半導(dǎo)體業(yè)界傳出，漢磊將與力積電合作，擬采技術(shù)作價(jià)方式，運(yùn)用力積電的8英寸廠生產(chǎn)，雙方資源互補(bǔ)，以達(dá)經(jīng)濟(jì)效益。 漢磊深耕化合物半導(dǎo)體中的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）長達(dá)1...  [詳內(nèi)文]

環(huán)球晶圓：預(yù)估今年碳化硅業(yè)務(wù)增幅將達(dá)50%

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 19 日 16:23 |
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半導(dǎo)體晶圓廠環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭今天表示，今年?duì)I運(yùn)可望逐季成長，只是汽車、手機(jī)及工業(yè)市場(chǎng)需求疲弱影響，回升幅度較預(yù)期緩和，未能如原先預(yù)期出現(xiàn)「V型反彈」。 環(huán)球晶圓今天召開股東常會(huì)，徐秀蘭會(huì)后受訪說，第1季將是今年?duì)I運(yùn)谷底，業(yè)績可望逐季成長，只是第2季攀升幅度可能小于預(yù)期，下半年...  [詳內(nèi)文]

SiCSem擬在印度新建一座SiC工廠

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 18 日 17:59 |
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據(jù)外媒消息，近日，總部位于印度欽奈的SiCSem Private Limited（下文簡(jiǎn)稱SiCSem）計(jì)劃在印度奧里薩邦建立一座涵蓋碳化硅（SiC）制造、組裝、測(cè)試和封裝（ATMP）工廠。 基于這一規(guī)劃，6月15日，SiCSem與印度理工學(xué)院布巴內(nèi)斯瓦爾分校（IIT-BBS）就...  [詳內(nèi)文]

德州儀器發(fā)布GaN IPM，助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機(jī)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 18 日 17:12 |
| 分類: 企業(yè)
6月18日，德州儀器 (TI)（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）推出了適用于 250W 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的先進(jìn) 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設(shè)計(jì)大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)時(shí)通常面臨的許多設(shè)計(jì)和性能折衷問題。DRV730...  [詳內(nèi)文]

穩(wěn)懋半導(dǎo)體推出全新RF GaN技術(shù)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 17 日 15:15 |
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6月14日，純化合物半導(dǎo)體代工廠穩(wěn)懋半導(dǎo)體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴(kuò)大了其RF GaN技術(shù)組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術(shù)測(cè)試版NP12-0B平臺(tái)。 據(jù)介紹，該平臺(tái)的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù)，...  [詳內(nèi)文]

比亞迪新建碳化硅工廠預(yù)計(jì)今年下半年投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 17 日 15:12 |
| 分類: 企業(yè)
近日，比亞迪品牌及公關(guān)處總經(jīng)理李云飛在中國汽車重慶論壇上表示，比亞迪新建碳化硅工廠將成為行業(yè)最大的工廠，該工廠將于今年下半年投產(chǎn)，產(chǎn)能規(guī)模是全球第一，是第二名的10倍。 據(jù)了解，今年下半年起，比亞迪20萬左右的車型也將搭載應(yīng)用碳化硅的智能化方案，從而實(shí)現(xiàn)智能駕駛等更大范圍的搭載應(yīng)...  [詳內(nèi)文]

英飛凌8英寸SiC晶圓廠一期工程完工

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 14 日 17:59 |
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據(jù)外媒報(bào)道，近日，英飛凌完成了位于馬來西亞居林的8英寸碳化硅（SiC）晶圓廠第一階段建設(shè)。 source：英飛凌 英飛凌計(jì)劃于今年8月正式啟用居林Module 3廠區(qū)，并于2024年底開始生產(chǎn)SiC。據(jù)了解，該晶圓廠總投資為70億歐元，其也是馬來西亞政府1000億美元計(jì)劃的核心...  [詳內(nèi)文]

國創(chuàng)中心與長城汽車成立車規(guī)級(jí)芯片聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 14 日 17:58 |
| 分類: 企業(yè)
近日，國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心（以下簡(jiǎn)稱“國創(chuàng)中心”）與長城汽車股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“長城汽車”）共同揭牌成立“車規(guī)級(jí)芯片聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”，又一車規(guī)級(jí)芯片聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室落地北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)（北京亦莊）。 “此次聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的成立，是國創(chuàng)中心與長城汽車在車規(guī)級(jí)芯片領(lǐng)域深化合作的重要標(biāo)志...  [詳內(nèi)文]