文章分類： 碳化硅SiC

注冊資本20億，度亙核芯上海成立新公司！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 21 日 14:45 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，度亙核芯光電技術(shù)（蘇州）股份有限公司（以下簡稱“度亙核芯”）在上海成立新公司——度亙核芯光電技術(shù)（上海）有限公司，注冊資本高達(dá)20億元人民幣。 據(jù)悉，新公司專注光通信設(shè)備制造、集成電路芯片及產(chǎn)品制造、光電子器件制造、半導(dǎo)體分立器件制造、電子元器件制造、電子專用材料制造和研發(fā)...  [詳內(nèi)文]

三家企業(yè)聯(lián)合，攻關(guān)8英寸外延片功率器件工藝

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 21 日 14:42 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
據(jù)深圳國資消息，3月18日，重投天科與鵬進(jìn)高科、尚陽通科技正式簽署合作協(xié)議，共同聚焦于8英寸外延片功率器件工藝的聯(lián)合攻關(guān)。這一合作標(biāo)志著國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)在關(guān)鍵材料技術(shù)領(lǐng)域的深度協(xié)同，旨在突破高端功率器件制造中的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸。 source：深重投集團(tuán) 8英寸外延片是半導(dǎo)體制造中的...  [詳內(nèi)文]

安世半導(dǎo)體推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 20 日 10:52 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色，采用創(chuàng)新的表面貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧...  [詳內(nèi)文]

意法半導(dǎo)體與重慶郵電大學(xué)戰(zhàn)略合作

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 20 日 10:41 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日，意法半導(dǎo)體與重慶郵電大學(xué)在重慶安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠通線儀式后的“碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇”上正式簽署產(chǎn)學(xué)研戰(zhàn)略合作協(xié)議。 雙方將在以下三方面展開產(chǎn)學(xué)研資源深度融合： 共建創(chuàng)新平臺：意法半導(dǎo)體在智能功率技術(shù)、寬禁帶帶隙半導(dǎo)體、汽車芯片、邊緣人工智能、傳感以及數(shù)字和混合信號技術(shù)等...  [詳內(nèi)文]

超高壓碳化硅大功率芯片項(xiàng)目簽約

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 19 日 18:08 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)普州大地消息，近期，四川普州大地城市產(chǎn)銀科技發(fā)展有限公司與新加坡拓譜電子公司（Singapore TOPO electronic Pte, LTD）成功簽署合作協(xié)議，標(biāo)志著雙方在半導(dǎo)體領(lǐng)域邁出了重要的合作步伐。 source：普州大地 根據(jù)協(xié)議，雙方將共同成立一家專注于超高壓...  [詳內(nèi)文]

揚(yáng)杰科技、悉智科技碳化硅新動態(tài)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 19 日 18:06 | | 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，小米Su7 Ultra新能源汽車引發(fā)業(yè)界廣泛關(guān)注，據(jù)媒體披露，小米SU7 Ultra全車預(yù)計(jì)使用172顆SiC芯片，覆蓋電驅(qū)系統(tǒng)、車載電源和空調(diào)壓縮機(jī)控制器等核心部件。這種全域應(yīng)用不僅強(qiáng)化了車輛的動力性能，還通過減小系統(tǒng)體積和重量，助力車身輕量化設(shè)計(jì)。 碳化硅（SiC）作為...  [詳內(nèi)文]

最新，安森美/比亞迪在碳化硅功率取得進(jìn)展！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 19 日 18:00 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，安森美和比亞迪相繼推出了碳化硅技術(shù)/新品，引起市場諸多關(guān)注。 01 安森美推出基于1200V碳化硅的智能功率模塊 3月18日，安森美官微宣布推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列。 s...  [詳內(nèi)文]

杭州第三代半導(dǎo)體相關(guān)項(xiàng)目迎新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 17:04 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
杭州“臨安發(fā)布”消息，愛矽科技園項(xiàng)目已完成40%的施工進(jìn)度。計(jì)劃今年年底，園區(qū)全部結(jié)頂竣工，爭取明年5月投入使用。 該產(chǎn)業(yè)園于2024年5月開工，項(xiàng)目計(jì)劃打造臨安首個(gè)集芯片設(shè)計(jì)研發(fā)、先進(jìn)封裝封測、功率器件封裝封測等多元功能于一體的集成電路產(chǎn)業(yè)園，占地118畝，建筑面積約20萬平方...  [詳內(nèi)文]

180萬片，斯達(dá)半導(dǎo)重慶車規(guī)級功率模塊項(xiàng)目封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 17:01 | | 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)西部重慶科學(xué)城最新消息，3月17日，斯達(dá)半導(dǎo)體重慶車規(guī)級模塊生產(chǎn)基地正式封頂，標(biāo)志著國內(nèi)首條年產(chǎn)能達(dá)180萬片的車規(guī)級IGBT與碳化硅（SiC）模塊產(chǎn)線進(jìn)入投產(chǎn)倒計(jì)時(shí)。 公開資料顯示，這一項(xiàng)目由長安汽車旗下深藍(lán)汽車與斯達(dá)半導(dǎo)體聯(lián)合打造。斯達(dá)半導(dǎo)體與深藍(lán)汽車的合作始于2023年，...  [詳內(nèi)文]

芯粵能半導(dǎo)體成功開發(fā)第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 18 日 9:02 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)長三角國際半導(dǎo)體博覽會消息，近期，廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“芯粵能”）經(jīng)過近兩年時(shí)間的技術(shù)研發(fā)和測試，已成功開發(fā)出第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺。 該平臺采用芯粵能自主知識產(chǎn)權(quán)的溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)，可顯著降低比導(dǎo)通電阻、提高電流密度，并在確保產(chǎn)品可靠性的同時(shí)，...  [詳內(nèi)文]