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超高壓碳化硅大功率芯片項目簽約
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 19 日 18:08 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)普州大地消息，近期，四川普州大地城市產(chǎn)銀科技發(fā)展有限公司與新加坡拓譜電子公司（Singapore TOPO electronic Pte, LTD）成功簽署合作協(xié)議，標(biāo)志著雙方在半導(dǎo)體領(lǐng)域邁出了重要的合作步伐。 source：普州大地 根據(jù)協(xié)議，雙方將共同成立一家專注于超高壓...  [詳內(nèi)文]

揚(yáng)杰科技、悉智科技碳化硅新動態(tài)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 19 日 18:06 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，小米Su7 Ultra新能源汽車引發(fā)業(yè)界廣泛關(guān)注，據(jù)媒體披露，小米SU7 Ultra全車預(yù)計使用172顆SiC芯片，覆蓋電驅(qū)系統(tǒng)、車載電源和空調(diào)壓縮機(jī)控制器等核心部件。這種全域應(yīng)用不僅強(qiáng)化了車輛的動力性能，還通過減小系統(tǒng)體積和重量，助力車身輕量化設(shè)計。 碳化硅（SiC）作為...  [詳內(nèi)文]

最新，安森美/比亞迪在碳化硅功率取得進(jìn)展！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 19 日 18:00 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，安森美和比亞迪相繼推出了碳化硅技術(shù)/新品，引起市場諸多關(guān)注。 01 安森美推出基于1200V碳化硅的智能功率模塊 3月18日，安森美官微宣布推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列。 s...  [詳內(nèi)文]

EPC專利被判決無效，英諾賽科獲ITC案件終極勝利
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 19 日 14:19 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè) , 氮化鎵GaN
3月19日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）宣布，其在與美國宜普公司（EfficientpowerConversionCorporation，EPC）發(fā)起的專利侵權(quán)案中取得決定性勝利。 3月18日,美國專利局（USPTO）對EPC涉案專利(US’294號專...  [詳內(nèi)文]

安徽格恩半導(dǎo)體申請氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器專利
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 19 日 14:07 | 分類 氮化鎵GaN
近日，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安徽格恩半導(dǎo)體有限公司申請一項名為“一種氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器”的專利。 專利摘要顯示，本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光元件技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器。該氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器，從下至上依次包括襯底、下限制層、下波導(dǎo)層、有源層、上...  [詳內(nèi)文]

?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊以降低能耗和整體系統(tǒng)成本
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 19 日 14:02 | 分類 功率
近日，安森美推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列。與使用第7代場截止（FS7）IGBT技術(shù)相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超緊湊的封裝尺寸中提供超高的能效和功率密度，從而...  [詳內(nèi)文]

杭州第三代半導(dǎo)體相關(guān)項目迎新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 18 日 17:04 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
杭州“臨安發(fā)布”消息，愛矽科技園項目已完成40%的施工進(jìn)度。計劃今年年底，園區(qū)全部結(jié)頂竣工，爭取明年5月投入使用。 該產(chǎn)業(yè)園于2024年5月開工，項目計劃打造臨安首個集芯片設(shè)計研發(fā)、先進(jìn)封裝封測、功率器件封裝封測等多元功能于一體的集成電路產(chǎn)業(yè)園，占地118畝，建筑面積約20萬平方...  [詳內(nèi)文]

180萬片，斯達(dá)半導(dǎo)重慶車規(guī)級功率模塊項目封頂
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 18 日 17:01 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)西部重慶科學(xué)城最新消息，3月17日，斯達(dá)半導(dǎo)體重慶車規(guī)級模塊生產(chǎn)基地正式封頂，標(biāo)志著國內(nèi)首條年產(chǎn)能達(dá)180萬片的車規(guī)級IGBT與碳化硅（SiC）模塊產(chǎn)線進(jìn)入投產(chǎn)倒計時。 公開資料顯示，這一項目由長安汽車旗下深藍(lán)汽車與斯達(dá)半導(dǎo)體聯(lián)合打造。斯達(dá)半導(dǎo)體與深藍(lán)汽車的合作始于2023年，...  [詳內(nèi)文]

這家破產(chǎn)的GaN工廠，被全球三大公司競購
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 18 日 16:59 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，一場圍繞氮化鎵（GaN）技術(shù)的競購戰(zhàn)正在比利時奧德納爾德市悄然上演。曾被譽(yù)為歐洲GaN技術(shù)先驅(qū)的BelGaN工廠，因資金鏈斷裂于2024年8月申請破產(chǎn)，其440名員工的命運(yùn)與價值1.3億歐元的資產(chǎn)標(biāo)的，成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈爭奪的焦點。 從輝煌到隕落，BelGaN花落誰家 B...  [詳內(nèi)文]

芯粵能半導(dǎo)體成功開發(fā)第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 18 日 9:02 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)長三角國際半導(dǎo)體博覽會消息，近期，廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“芯粵能”）經(jīng)過近兩年時間的技術(shù)研發(fā)和測試，已成功開發(fā)出第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺。 該平臺采用芯粵能自主知識產(chǎn)權(quán)的溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)，可顯著降低比導(dǎo)通電阻、提高電流密度，并在確保產(chǎn)品可靠性的同時，...  [詳內(nèi)文]